출처: AliExpress. 판매자 스토어는 CHINA BrandExport Store. |
이번 여름 프로젝트로 구상 중인 6LQ8 앰프는 푸시풀이라서 싱글 엔디드 앰프에 비하여 험 잡음이 적을 것이다. 그러나 아직 공부가 부족하여 왜 그러한지에 대한 정확한 이론을 알고 있지는 못하다. 험 잡음은 교류로 히터를 점화하는 데서 기인하는 것, 전원트랜스에서 누설되는 자기장으로 인해 유도되는 것, B전원에 남은 리플 등 몇 가지의 요인에 의한다. 싱글 엔디드 앰프에 비해 PP가 험에 강하다는 것은 위에서 나열한 요인 중 어느 것이 줄어드는 것에 기인하는가? 복합적인 요인인가? 분명히 이에 대한 답을 할 수 있어야 한다.
제이앨범에서 제공하는 PCB + 부품 세트를 활용할 계획이라서 전원부를 제외하고는 내가 크게 자율성을 발휘할 곳은 많지 않다. 제이앨범에서 제시한 전원회로는 트랜스 2차 출력(214 V)을 다이오드로 브리지 정류를 한 다음 200 uF/400 V 캐패시터로 평활시킨다. 다음으로는 135옴 저항(다소 생소한 저항값)과 200 uF/400 V으로 구성된 RC 필터를 여러 단 이어서 202 V까지 전압을 내리도록 만들었다. 내려야 할 전압의 폭이 꽤 넓어서 4~5단의 필터를 적용해야 한다. IC114에서 찾아보니 200 uF 전해 캐패시터라는 것은 없고 220 uF/400 V의 것이 있다. 가격도 2,000~2,500원 선으로 꽤 비싸고(105도 제품의 경우), 리드선 타입도 아니라서 만능기판에 꽂기가 좋지 않다.
제이앨범 이외의 웹사이트에서 제시한 6LQ8 PP 앰프 회로는 MOSFET을 이용한 리플 제거 회로를 채택하였다. 우선 KDK Labs의 Power N-type MOSFET으로 ripple 제거를 먼저 읽어보았다. 어쩌면 내 부품통에 있는 IRF740을 활용할 수 있을지도 모른다.
공개된 리플 제거 회로를 검토해 보자. 다음은 네이버 카페 [앰프를 만드는 사람들(앰만사)]에서 제공하는 기판에 대한 설명글에서 그림의 일부분을 발췌한 것이다. 아래의 그림에서는 왼쪽 부분을 잘라냈는데, 실제 판매하는 기판에는 다이오드 회로와 첫번째 평활용 캐패시터가 포함된다. 220 uF/250 V 두 개를 직렬로 연결한 것은 배전압 정류로 사용할 것을 감안한 것이다.
출처: 앰프를 만드는 사람들 |
- 180K와 1M 저항으로 FET의 게이트 전압을 결정하고 출력전압은 보통 게이트 전압보다 5 V 정도 낮다.
- AC 200 V를 정류한 경우 280 V가 되며 이때 게이트에 걸리는 전압은 280 V x (1M/(1M + 180K)) = 237 V가 되며, 출력 전압은 237 V - 5 V = 232 V가 된다.
다음 카페 [자작 진공관 앰프 라디오]에 실린 6LQ8 PP 앰프 회로도에서도 거의 유사한 회로가 쓰였다.
출처: 6LQ8 PP회로도(은철아빠님 작도) |
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